芯周活动——芯知识竞赛题库

一、选择题

1 .  绍兴集成电路小镇坐落于（       ）

A上虞        B 柯桥       C  高新区和袍江      D  滨海 

2.绍兴集成电路小镇共规划面积（     ）

A  9518亩       B  3319亩       C  4169亩       D  6199亩

3.中国（绍兴）首届集成电路产业高峰论坛在哪一年召开（      ）

A  2016年      B  2017年       C  2018年      D  2019年

4.根据规划，绍兴集成电路小镇到2022年实现产值（      ）亿。

A  300亿      B  500亿        C  700亿       D  900亿 

5.绍兴哪所学校决定成立微电子学院（      ）

A  绍兴技师学院（筹）      B  文理学院

C  绍兴市中等职业学校      D 浙江工业职业技术学院

6.微电子学院将通过与企业合作，建立优质的校内外实训基地，每年可为企业输送（      ）名毕业生。

A  100     B  300      C   500     D   700

7.浙江省2018年GDP排名全国第（   ）

A 2        B 3          C  4          D  5

8.（     ）年代，国营871厂在绍兴建立集成电路分厂，播撒下浙江省集成电路发展的火种。

A  1970        B  1980        C  1990     D2000

9.微电子生产中，“自动”的英文单词是（       ）

A  Alarm        B Abort         C  Auto          D  Audit

10. 微电子生产中，“确认”的英文单词是（     ）

A  Cancel        B Confirm         C  Check          D  Comment

11. 微电子生产中，“错误”的英文单词是（     ）

A  Error       B Exit         C  Measure          D  Message

12. 微电子生产中，“位置”的英文单词是（       ）

A  Lord       B Mark         C  Metal          D  Location

13.清洁能源包括 （    ）等。

A.太阳能 核能水能 风能    B.太阳能 水能 风能 潮夕能

C.核能 水能 风能 潮汐能   D.太阳能 热能水能 风能 水能

14.计算机网络最突出的优点是： （    ）
‎ A.共享资源    B.精度高     C.运算速度快   D.内存容量大  

15.计算机能直接识别的语言是（    ） 语言：

A.汇编   B.自然   C.机器    D.高级

16. 潮汐电站容量为3200KW，居世界第三位的是（   ）。
‎ A浙江江厦    B福建福州    C浙江宁波

17.世界上第一台电子数字计算机是哪一年研制成功的？（     ）
‎ A、1952年 B、1947年 C、1946年  

18.下列关于操作系统的叙述中，正确的是： (      )              

A.操作系统是软件和硬件之间的接口

B.操作系统是源程序和目标程序之间的接口
‎C.操作系统是用户和计算机之间的接口

D.操作系统是外设和主机之间的接口

‎19.下列说法中正确的是：(      )                                  

A.计算机体积越大，其功能就越强

B.两个显示器屏幕尺寸相同，则它们的分辨率必定相同
‎C.点阵打印机的针数越多，则能打印的汉字字体就越多

D.在微机性能指标中，CPU的主频越高，其运算速度越快

20.在利用网络下载的众多动听的音乐中，那种格式是压缩率最高，音质量好的文件格式：（     ）

A.MP3    B.wav     C.mid     D.avi  

21.在计算机病毒流行的今天，为了避免机器感染病毒，在使用网络时需要注意的是：（     ）

A.不要去下载并执行自己不能确定是否“干净”的程序。
‎B.不要在网上和编写过病毒的人聊天。
‎C.最好每次上网之后用肥皂把键盘和鼠标清洗干净。

D.网上杀毒软件多的是，只要随便下载一个就可以防止病毒了  

22. (   )不能损坏磁盘。

A粘粘的手指   B磁场   C难闻的气味   D潮气

23、已知英文字母a的ASCII代码值是十六进制61H，那么字母D的ASCII代码值是（    ）

A.2H     B.54H    C.24H    D.64H

24.我国著名数学家吴文俊院士应用计算机进行几何定理的证明，该应用属于计算机应用领域的（    ）

A.人工智能    B.科学计算   C.数据处理    D.计算机辅助设计

25.将微型计算机的发展阶段分为第一代微型机,第二代微型机…，是根据下列哪个设备或器件决定的？（    ）

　Ａ.输入输出设备   Ｂ.微处理器   Ｃ.存储器   Ｄ.运算器

26.二进制数１１１１.１对应的十六进制数是（     ）

Ａ.Ｆ.１　Ｂ.Ｆ.８　Ｃ.７１.１　Ｄ.１７.８

27.数据１１Ｈ的最左边的１相当于２的（     ）次方

Ａ.４　Ｂ.３　Ｃ.２　Ｄ.１

28．十进制数511的八进制数是（    ）

A.756    B.400   C.401    D.777

29.所谓“裸机”是指（     ）

A.没有安装机箱                B.没有安装应用软件

C.没有安装任何软件的计算机    D.只安装操作系统的计算机

30.在一般情况下，软盘中存储的信息在断电后（      ）

A.局部丢失  B.全部丢失  C.大部分丢失  D.不会丢失

31.多媒体计算机的英文缩写是（     ）

A.UPC    B.MPC     C.FPC    D.MFC

32.双面高密度3.5英寸软盘的存储容量为（     ）

A.360KB   B.1.2MB     C.720KB     D.1.44MB

33.能直接与CPU交换信息的功能单元是（      ）

A.硬盘    B.控制器    C.主存储器    D.运算器

34．解决放大器截止失真的方法是(     )。

A. 增大上偏电阻 B. 减小集电极电阻RC C. 减小偏置电阻 D. 增大下偏电阻

35. 半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻两者大小关系为(     )。

A. 一样大 B. 一样小 C. 前者比后者小 D. 前者比后者大

36. 二极管的主要特性就是(     )。

A. 整流 B. 稳压 C. 单向导通 D. 反向击穿

37.在整流电路的输出端并一个电容, 主要是利用电容的(   )特性, 使脉动电压变得较平稳。

A．电压不能突变  B. 滤波  C. 充放电 D. 升压

38. 变压器的铁芯采用相互绝缘的薄硅钢片制造, 主要目的是为了降低(  )。

A. 杂散损耗 B. 铜耗 C. 涡流损耗 D. 磁滞损耗

39. 一个实际电源的电压随着负载电流的减小将（    ）。

A．降低 B.升高 C.不变 D.稍微降低

40．数字0.0520中的有效数字为（     ）

A．5     B. 4     C. 3      D. 2

41.两个阻值分别为R的电阻并联，此并联支路的等效电阻为（   ）

A. R     B. 2R       C.(1/2)R      D .1/R

42.共发射极晶体管放大电路输入信号与输出信号的电压相位差为（   ）

A. 0      B. 90       C. 180        D.  270

43精确度用来反映仪表测量（   ）偏离真值的程度.

A.误差     B.结果    C.方法    D.处理

44.晶体三极管两个PN节都反偏的时候，晶体三极管所处的状态为（   ）。

A．放大状态   B.饱和状态    C.截止状态    D. B或C

45.运算放大器要进行调零，是由于（      ）。

A.温度的变化    B.存入输入失调电压   C.存在偏置电流   D.开环增益高

46.可编程序控制器的简称为（     ）。

A. DCS     B. BMS     C. CRT      D. PLC

47.用开关A和B串联来控制一灯泡，若用L来表示灯泡的状态，则用逻辑表达可表示为（    ）。

A. L=A+B     B.L=A*B       C.L=A+B      D.L=A*B

48.由三极管组成的非门电路，即三极管反向器是利用了三极管的（    ）。

A.电流放大作用   B.开关作用    C.电压放大作用    D.功率放大作用

49.在数字电路中，三极管相当于一个开关，通常工作在（     ）状态。

A.放大    B.饱和     C.死区     D.饱和或截止

50.中央处理单元（CPU）由运算器和（     ）组成。

A.存储器    B.软件    C.控制器     D.输入设备

51.A/D转换器的输入量一般都为（     ）

A.电压     B.电流    C.频率    D.电脉冲

52.计算机的软件系统包括：（     ）

A．程序和数据                        B.系统软件与应用软件

C.操作系统与语言处理程序             D.程序、数据与文档

53.二极管的主要特性就是(    )

A. 整流     B. 稳压     C. 单向导通     D. 反向击穿

54.电路由（      ）和开关四部分组成。

A电源、负载、连接导线            B.发电机、电动机、母线            

C. 发电机、负载、架空线路         D.电动机、灯泡、连接导线

55.R1和R2为两个串联电阻已知R1=4R2, 若R1上消耗的功率为1瓦则R2上消耗的功率为（    ）                      

A. 5瓦     B.20瓦     C.0.25瓦     D.4瓦

56.电容器在刚充电瞬间相当于（     ）

  A．开路     B.短路     C.旁路     D.支路

57.以下是线性元件的是（     ）

 A．电容      B.电感       C.电阻       D.三极管

58.金属导体的电阻值随着温度的升高而（     ）。

  A：增大   B：减少    C：恒定    D：变弱

59.二极管的测量过程中我们发现带有白圈的一端是二极管的（     ）极。

A、正极        B、负极        C、基极       D发射极

60.示波管的电子枪发射出速度极高的（     ）轰击荧光屏而出现亮点。

A 电子束        B 离子束       C 光子束        D 电磁波

61.半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻两者大小关系(   )。

 A. 一样大 B. 一样小 C. 前者比后者小 D. 前者比后者大

62.在整流电路的输出端并一个电容, 主要是利用电容的(   )特性,使脉动电压变得较平稳。

 A电压不能突变   B. 滤波   C. 充放电      D. 升压

63. 两个同频率正弦交流电的相位差等于180时，他们的相位关系是（   ）

   A.同相     B.相等     C.反相     D.正交

64. 常用的室内照明电压220V是指交流电的（    ）

   A.瞬时值   B.最大值   C.平均值  D.有效值

65. 当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（     ）

A   一定为正值    B   一定为负值   C  不能肯定是正值或负值

66.电容电压Uc具有连续性,所以电容上的电压（   ）电容具有记忆(   )。

A.能跃变    B.不能跃变     C.电流作用     D.电压作用

67.电感L是(   )(    )元件,流过电感的电流(    )电感上的电压(    )。

A.耗能   B.储能   C.记忆     D.无记忆   E.能跃变    F.不能跃变

68.戴维宁定理说明一个线性有源二端网络可等效为(   )和内阻(   )连接来表示。  

A. 短路电流Isc    B. 开路电压Uoc      C.串联     D.并联  

69.GLC并联回路谐振时导纳(   )总电压(     )回路品质因数Q越高,通频带△ω则(   ),选择性(     )。

A.最大    B.最小     C.越大   D.越小    E.越好    F.越坏

70.有用信号频率465KHz选用(   )滤波器,有用信号低于500Hz应采用(    )   滤波器,希望抑制50Hz交流电源的干扰,应采用(   )滤波器,希望抑制1KHz以下信号应采用(   )滤波器。 

A.低通    B.高通    C.带通    D.带阻  

71. 电压的单位是 （   ），电流的单位是 （    ），有功功率的单位是 （   ） ，能量的单位是（     ） 。

A.安培    B.伏特     C.伏安     D.瓦    E.焦耳     F.库

72.一个输出电压几乎不变得设备有载运行，当负载增大时，是指（    ）

A负载电阻增大   B  负载电阻减小  C  电源输出的电流增大

73.电流与电压为关联参考方向是指（     ）。
‎A. 电流参考方向与电压降参考方向一致  

B. 电流参考方向与电压升参考方向一致
‎C. 电流实际方向与电压升实际方向一致  

D.电流实际方向与电压降实际方向一致
‎74.直流电路中，（    ）。
‎A 感抗为0，容抗为无穷大      B 感抗为无穷大，容抗为0
‎C 感抗和容抗均为0           D 感抗和容抗均为无穷大
‎75.在正弦交流电路中提高感性负载功率因数的方法是（     ）。
‎A 负载串联电感    B 负载串联电容   C 负载并联电感   D 负载并联电容

76.实现信息的传送和处理的电路称为（     ）电路

A  电工      B 电子     C强电

77.交流电路中，在相位上，电容器上的电压Uc（     ）流过电容的电流Ic。

A   滞后90度    B  超前90度   C  保持不变

78.分析瞬变过程的三要素法只适用于（     ）

A  一阶交流电路 B一阶直流电路C二阶交流电路D二阶直流电路

79.列节点方程时，要把元件和电源变为（     ）才列方程式

A电导元件和电压源   B电阻元件和电压源

C 电导元件和电流源   D电阻元件和电流源

80.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（     ）元素构成的。

A、三价   B、四价   C、五价   D、六价

81.稳压二极管的正常工作状态是（     ）。

A、导通状态；    B、截止状态；    C、反向击穿状态；    D、任意状态。

82.用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（    ）。

A、已经击穿；  B、完好状态；  C、内部老化不通；  D、无法判断。

83.PN结两端加正向电压时，其正向电流是（    ）而成。

A、多子扩散；  B、少子扩散；  C、少子漂移；  D、多子漂移。

84.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（     ）。

A、放大区；  B、饱和区；  C、截止区；  D、反向击穿区。

85.正弦电流经过二极管整流后的波形为（     ）。

A、矩形方波；   B、等腰三角波；   C、正弦半波；   D、仍为正弦波。

86.三极管超过（     ）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM；      B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；

C、集电极最大允许耗散功率PCM；   D、管子的电流放大倍数。

87.若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（    ）

A、发射结正偏、集电结正偏；      B、发射结反偏、集电结反偏；

C、发射结正偏、集电结反偏；      D、发射结反偏、集电结正偏。

88.基本放大电路中，经过晶体管的信号有（    ）。

A、直流成分；     B、交流成分；     C、交直流成分均有。

89.基本放大电路中的主要放大对象是（     ）。

A、直流信号；      B、交流信号；      C、交直流信号均有。

90.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（      ）。

A、截止失真；      B、饱和失真；      C、晶体管被烧损。

91.功放首先考虑的问题是（    ）。

A、管子的工作效率；      B、不失真问题；     C、管子的极限参数。

92.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（     ）。

A、放大电路的电压增益；    B、不失真问题；     C、管子的工作效率。

93.射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（     ）

A、带负载能力强；   B、带负载能力差；   C、减轻前级或信号源负荷。

94.功放电路易出现的失真现象是（     ）。

A、饱和失真；      B、截止失真；       C、交越失真。

95.基极电流i_B的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（     ）。

A、截止区；       B、饱和区；       C、死区。

96.在（     ）年，由肖克莱、巴丁和布拉顿三人组成的研究小组在美国贝尔实验室里发现了晶体管效应，从此开创了人类大规模利用半导体的新时代。
‎A  1941      B  1945        C  1949      D  1953 

97.人类第一次晶体管效应是用两根与半导体（     ）晶片紧密接触的金属探针来研究晶片中电流传导，并在此基础上制出了世界上第一枚晶体管。
‎A 硅         B 锗       C 碳         D 硼

98.1957年美国（     ）公司利用硅晶片上热生长二氧化硅（SiO2）工艺制造出世界上第一只硅平面晶体管。从此，硅成为人类利用半导体材料的主要角色。
‎A 国家半导体          B 摩托罗拉        C 英特尔          D 仙童 

99.1960年美国人诺依思用平面工艺制造出了第一块实用化的集成电路芯片。这个芯片包含了4个晶体管和6个电阻器，组成了一个（     ）。集成电路的发明为人类开创了微电子时代的新纪元。
‎A 存储器             B 放大器        C 中央处理器      D 环形振荡器

100.晶体管问世之后，由于其广泛的用途而被迅速投入工业生产。当时美国的晶体管生产基地主要集中于加州圣克拉拉附近的（     ）。 
‎A 硅谷        B 晶体乐园     C 芯片产业园       D 半导体研究院
‎
‎二、填空题

1.理想二极管导通时相当于开关           ,截止时相当于开关         。 

2.应用叠加原理求某支路电压,电流时,当某独立电源作用时，其他独立电源，如电压源应         ，电流源应         。

3.集成电路是半导体领域中最有活力和最具渗透力的产品，集成电路首先被应用于            。

4.1971年          （CPU）和1kb DRAM（1k位动态随机存取存储器）两块集成电路的研发成功，催生了微处理机的出现。

5.1988年9月           成为国内微电子行业第一家中外合资企业，并建成了国内第一条4英寸/3微米的数字程控交换机芯片生产线。

6.2009年美国苹果公司具有划时代意义的           问世，推动移动智能终端产品实现移动互联网，超大规模集成电路和射频芯片有了广泛的应用。

7.一般而言，将石英砂（主要成分SiO2）与碳（C）混合在1700°C真空还原炉中治炼出粗硅其纯度仅为           左右，现代技术提炼纯度可以提高至11个9（11N）。

8.         结构是MOS晶体管结构的核心。长期以来，人们在这方面下的功夫最大。当代技术已经能使其介质越来越薄甚至减小到接近1纳米。

9.当特征尺寸缩小到纳米尺度后，MOS晶体管的沟道长度越来越短。沟道硅材料的高掺杂引起的库伦作用更加显著。                退化已成为MOS晶体管性能限制的又一个重要因素。

10.目前，人们还在研究将锗Ge或            族化合物半导体材料用于制作MOS晶体管的沟道，这样会增大MOS晶体管制作工艺的复杂性。

11.在亚微米制程中，人们利用向硅中掺杂铂Pt技术来减少源漏接触电阻。到深亚微米制程时，一般采用硅化钴SiCo技术。从65纳米节点开始，又普遍转向了             技术。

12.随着特征尺寸的不断变小，采用低接触电阻的超薄可控硅化物是解决          

        低接触电阻的主要方法。

13.         用作为集成电路芯片互连的工艺十分方便，其用作互连金属材料的历史长达40年之久。但是它固有缺点是容易发生电迁移效应和电阻率偏高，影响集成电路芯片的可靠性。

14.1998年IBM首先采用         互连来替代传统的互连，可使电迁移效应大大改善，但是它的刻蚀十分困难。为了进一步减小RC延迟，在互连镶嵌槽的周围沉积低K介质阻挡层，防止金属原子向硅内扩散。

15.墨烯强度是所有材料中最高的。它的载流子迁移率高达15000cm2/V•s，热导率可达5000W/m•K，均为硅材料的         倍以上。

16.根据摩尔定律的预测，集成电路芯片上所集成的电路数目，每隔        个月就翻一倍，而价格会下降一半，由此微电子技术发展突飞猛进。

17.芯片设计中，根据版图设计规则中的         最小宽度，可以确定器件最小沟道长度。

18.版图设计规则是由集成电路芯片制造公司的         工程师根据本公司芯片制造生产线Fab的加工能力确定的。

19.Equipment Engineering（EE）在中芯企业中是指是指            。

20.Process Engineering（PE）在中芯企业中是指是指               。

21.请写出标准操作程序（SOP）的英文全称                           。

22.请写出晶粒制程服务（DPS）的英文全称                           。

23.Key in Center是指                                    。

24.Child lot在中芯企业中是指               。

25.EQ Status在中芯企业中是指              。

三、阅读资料

材料一：

面向全球竞争的“湾区时代”，浙江提出将数字经济作为构筑湾区经济的核心，确立数字经济“一号工程”。

加速数字经济战略落地、赋能湾区经济，杭绍甬一体化发展格局下的绍兴，如何把握机遇、主动作为？昨天，２０１８中国（绍兴）首届集成电路产业高峰论坛上，200多位集成电路业界精英见证了一个里程碑事件：中国首个以集成电路命名的小镇在越城区落地。当天，“绍兴集成电路小镇”规划发布，8个总投资超过150亿元的集成电路项目同步落地。

我市相关部门负责人称，立足集成电路产业传统优势，高站位高标准高质量推进“绍兴集成电路小镇”建设，以此为平台，集聚高端创新资源，系统架构起集成电路研发、设计、制造、封测等全产业链，对绍兴全面融入大湾区、构建现代产业体系具有重大意义。

“绍兴集成电路小镇”设生活配套区、研发区、高端制造区、商贸服务区。其中，集成电路制造方面：引进集成电路制造－设计－封装测试－设备维修全产业链项目，形成产业集群。集成电路研发方面：科创基地为小镇提供科技、产学研及商务配套服务。

绍兴集成电路小镇位于绍兴高新区，总规划面积约３平方公里，东邻吼山风景区、西接迪荡新城、北连１０４国道和杭甬大运河，南连中山路。

绍兴区位图

绍兴地处杭州湾、长三角核心，毗邻上海港、宁波港等大型港口。４０分钟至杭州萧山国际机场，６０分钟至宁波栎社国际机场。

“绍兴集成电路小镇”规划解读

规划背景

集成电路是现代信息社会的基石，是支撑当前经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。浙江省将集成电路产业确立为推进数字经济“一号工程”的核心内容，出台《关于加快集成电路产业发展的实施意见》。

围绕大湾区先进智造基地战略定位，绍兴提出，到2020年，全市引进主营业务收入超50亿元的电子信息企业10家，重点聚焦专用集成电路及模组、智能传感器等细分领域。

绍兴集成电路产业链相对较为完善，基本涵盖了制造、设计、封装测试、设备维修等多个领域。特别是越城区，具有深厚的集成电路产业发展基础，去年全区电子信息产业产值61.8亿元，同比增长19%。规划建设集成电路小镇，对绍兴加快培育高端产业、增强高新技术的竞争力、加快产业转型升级等具有重要的引领作用。

 规划思路

按照国家产业政策导向和加快培育、发展战略性新兴产业的总体要求，以建设绍兴市集成电路产业集群为目标，将集成电路产业作为推动战略性新兴产业发展和产业转型升级的战略重点，坚持创新驱动发展战略，以重大项目引进、龙头企业培育为突破口，强化集成电路企业与产业链下游企业的融合发展，打造具有国内竞争力的集成电路设计业与应用为主的产业发展环境，在关键领域实现精准赶超，构建具有绍兴特色的集成电路产业发展生态体系。

 规划布局

小镇位于绍兴高新区，总规划面积约3平方公里，东邻吼山风景区、西接迪荡新城、北连104国道和杭甬大运河，南连中山路。突出生态、生产和生活融合发展，主要分为高端制造区、研发区、商贸商务区、生活配套区。

集成电路制造重在引进集成电路制造-设计-封装测试-设备维修全产业链项目，形成产业集群；集成电路研发，则通过建设科创基地为小镇提供科技、产学研及商务配套服务。

发展目标

通过政府引导，市场主导，产业化平台运作，高标准推进绍兴市越城区集成电路产业培育。到2022年，集成电路小镇实现产值200亿元，到2025年实现产值500亿元，力争成为国家级集成电路产业园示范区。

 产业目标

集成电路产业制造方面：以中芯国际集成电路8英寸生产线项目为载体，大力发展以微机电系统、功率器件为主的特种工艺晶圆制造，到2022年，产值达到50亿元，目标为建成国内微机电和功率集成系统制造中心。

集成电路产业设计方面：依托北斗导航产业园等平台，重点发展面向无线通信、物联网、新能源汽车、消费电子等集成电路设计产业并与应用市场接轨。到2022年，产值达到25亿元，目标为建成全国集成电路产业设计基地。

半导体设备制造方面：硅片设备、刻蚀设备、量测设备、封测设备等集成电路专用装备实现规模化商用，到2022年，产值达到120亿元，目标为建成全国半导体设备制造中心。

集成电路封装测试方面：以豪威科技、新华越IPT等重大项目为依托，重点聚焦晶圆凸块、晶圆级封装等先进技术，建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心。

 企业目标

扶持1～2家集成电路晶圆制造企业，3～5家包含集成电路封装测试、集成电路设计的产业龙头企业，引进和培育国际高端半导体设备制造企业1～2家。重点培育１家集成电路产业推进及平台服务企业。到2022年末，集成电路企业超过60家，设计企业超过30家，从业人数超过3000人。推动3～5家集成电路企业实现主板上市。

平台目标

与龙头企业、专业集成电路投资公司发起设立绍兴市-越城区两级集成电路产业基金，通过引导基金杠杆，撬动社会资本、国家大基金及金融资本共同发展越城区的集成电路产业。建立公共服务平台，针对共性技术提供检验检测服务、专业人才培育服务、产线工人培训服务等，协助企业对接资本及上下游产业链，协助企业兑现产业专项补贴等。

人才目标

开展产学研合作，成立重点实验室，建立集成电路产业研发创新平台。

引入专业机构，培训面向高科技企业研发、生产、测试、品保等工程技术人员开设定向技术类课程，以提升企业在关键领域、关键技术岗位人员的专业能力。实现人才培训、积累，满足本地区产业人才需求。目标为5年内实现产业从业人员15000人，专业技术人才5500人，运营管理人才2000人。

 突出优势

产业基础。1984年，八七一厂落户绍兴，30多年来，培养了一批业内领军人物和技术人才。现有宏邦电子、光大芯业等一批制造、设计、封装测试产业链相关企业。随着中芯国际等一批国内龙头企业、重大产业项目落户，带动人才、技术、资金等进一步集聚。

配套完善。大湾区背景下，杭绍甬一体化发展，杭绍同城化加速，越城区坐拥两大国家级开发区——绍兴高新区和袍江经济技术开发区，产城融合优势日益明显，城市基础设施配套和生活配套不断完善。

政策支撑。小镇专门制定了《关于加快推进集成电路产业发展的实施意见》，旨在鼓励新建投资项目、引进龙头企业、社会资本参与企业并购重组、组建产业基金、金融机构参与企业发展、企业引进专业化人才和团队等方面进行重点扶持。同时，已创设3个集成电路产业基金，与北京大学、浙江大学共建集成电路设计公共服务平台正在紧锣密鼓推进中。

 推进举措

成立集成电路小镇开发建设管委会，加强对集成电路产业发展工作的统筹协调。

创建省级集成电路产业创新综合服务体，打造集成电路产业发展的技术平台和产业促进平台，支持企业整合上下游资源、延伸产业链，加快形成产业集群。

参与国家集成电路产业基金，发展集成电路产业专项扶持基金，实施好集成电路产业扶持政策。

加大招才引智力度，鼓励绍兴高校开设集成电路相关学科专业，培养集成电路产业发展所需的基础性、实用型人才。

优化政府服务，组建集成电路专家顾问团队、集成电路产业项目落地服务团队，在规划、建设、环评等方面提供针对性服务。

八大签约项目简介

  绍兴集成电路小镇创新综合体项目

由芯空间控股有限公司投资建设，计划总投资50亿元，项目打造以集成电路产业为主导，集科技创新研发、文化休闲、生活配套服务为一体的创新服务综合体，在投融资、产业引进、产业服务、人才引进、生活配套等方面为绍兴市集成电路产业、信息电子产业等迅速集聚和快速发展提供有力支撑。

新华越IPT项目

由芯空间控股有限公司、新加坡IPT芯光科技有限公司投资建设，项目计划投资30亿元，通过购买150台（套）设备、新增3万平方米的厂房建设实现晶圆级与大板级嵌入封装的目标，达产后可实现年销售收入150亿元。产品方向：3D光电产品封装，IGBT多芯片模组封装及创新Micro LED显示屏封装。

北斗导航产业园项目

由武汉导航院、武汉梦芯科技和绍兴盛世能源投资建设，计划投资20亿元，建设北斗高精度导航产品研发生产基地、北斗导航大数据处理中心和位置信息服务平台、中国东部北斗技术应用推广中心和浙江北斗产业科技公司孵化基地。

韦尔半导体设计及封装项目

由上海韦尔半导体股份有限公司投资建设，项目结合绍兴市半导体及集成电路的现有制造、测试、人才等优势，在绍兴市设立半导体设计及应用测试研发中心，扩大公司产品线，提高产品质量，同时建立世界一流的图像传感器的晶圆架构重整产线，为未来开拓5G、物联网、智能驾驶等新市场打下坚实基础。

 浙江鸿吉智能项目

由浙江鸿吉智能控制有限公司投资建设。项目将紧紧依托绍兴良好的投资环境和服务能力，建立一流的研发和制造中心，为中国和世界一流的汽车和摩托车企业提供纯电动动力总成、混合动力总成、自动变速箱、车身稳定性控制、智能辅助驾驶等高性价比的先进控制系统，满足广大民众和整车厂对智能控制系统不断增长的需求。

 吉姆西半导体设备项目

由吉姆西半导体科技（无锡）有限公司投资建设，项目建设内容为CMP耗材制造基地和高端硅片回收服务平台，主要产品和服务包括半导体用CMP钻石修整器，硅片清洗刷子，和高端硅片回收服务等。项目全部投产后，预计年营业收入可达7.5亿元，实现利润1.07亿元，实现税收7520万元。

 怡华电子家电控制芯片项目

由浙江怡华电子科技股份有限公司投资建设。怡华电子是一家研发、制造、销售半导体功率控制器件和集成电路的高新技术企业。项目计划新建年产20亿只集成电路生产线（小家电控制芯片）。

 越芯基金项目

为加快推进绍兴电子信息产业发展，推动绍兴产业转型升级，由绍兴市政府、越城区政府、杭州沨华投资管理有限公司共同发起设立２０亿元规模的绍兴市越芯电子信息产业投资基金。基金主要投资于以集成电路为代表的电子信息产业中的成长型企业和成熟期企业。该基金旨在服务政府产业发展规划，发挥产业基金规划、引领和放大功能，积极推动产业要素向绍兴集聚，形成基本涵盖集成电路生产制造、研发设计、封装测试、材料设备的全产业链。

材料二：

皋埠+袍江，绍兴打造千亿元“集成电路小镇”

1.产业发展优势

一是区位和基础配套优势，越城区是绍兴市委市政府所在地，高铁、高速、快速路、城市轨道交通等现代化综合交通体系完善，拥有国家级绍兴高新区和国家级袍江经济技术开发区，基础配套设施较为完善。二是战略定位优势，越城是省大湾区战略“一港、两极、三廊、四新区”的绍兴滨海新区主要承载区，战略定位为以集成电路为重点的先进智能制造基地。三是产业基础优势，电子信息产业是越城区重点培育的新兴产业，自1984年原国内五大集成电路骨干企业之一的八七一厂落户绍兴以来，已经培养了一批业内领军人物和技术人才，现有中芯国际、宏邦电子、光大芯业等31家集成电路产业链规上企业，2017年全区电子信息产业产值61.8亿元，同比增长19%，预计2018年底将突破80亿元。

2.小镇功能布局

小镇功能布局为“一心四园两区”，分为高新区块和袍江区块，总规划面积9518亩。

高新区块规划可建设用地面积约3319亩，其中产业用地面积约2833亩。重点突出生态、生产和生活融合发展，建设为创新设计中心、综合服务片区、封装测试产业园、晶圆制造产业园。

袍江区块规划可建设用地面积约6199亩，其中产业用地面积约4169亩。侧重引进集成电路全产业链项目，建设为综合服务片区、装备及材料产业园、终端应用产业园、晶圆制造产业园。

3.总体思路及发展目标

小镇的总体思路是：抓住国内外集成电路产业格局重大调整的历史性机遇，聚焦集成电路设计—制造—封装—测试—设备及应用的全产业链，构建集产业链、创新链、人才链、服务链、资金链于一体的高端集成电路产业生态，打造成为绍兴市经济增长新引擎、浙江省产业高质量发展示范平台、国家级集成电路产业示范园区。

战略定位是：

——面向智能应用的集成电路设计产业高地。在长三角地区形成基于应用市场的产业集聚，打造“方案-芯片-模组-整机”的产业整合生态体系，不断提升产业链合作广度。

——国内MEMS传感器产业基地。依托中芯国际MEMS代工生产线，建立中试及产业化研发、制造平台，向工业控制、汽车电子领域MEMS传感器领域拓展提升，补齐产业链上下游。

——长三角地区半导体设备研发中心。充分发挥长三角地区晶圆制造、封装测试企业密集的市场优势，依托龙头企业打造半导体设备验证平台、区域半导体设备研发中心。

发展目标是：到2020年产值突破300亿元，2022年产值突破500亿元，2025年产值突破1000亿元。

4.配套保障措施

一是政策扶持有力。制定出台了产业政策11条和专项人才政策，同时创设集成电路产业基金、越芯政府引导基金等两个产业基金，投资了中芯国际、豪威科技等重大产业项目。

二是配套支持完善。目前已启动集成电路小微产业园和集成电路设计产业园建设，加快企业导入速度。特别是近期与浙江大学正式签约，在核心区合作共建绍兴微电子研究中心，努力建设成为我国高端芯片技术研究与产业化的示范区。

三是氛围营造浓厚。去年9月成功举办首届中国（绍兴）集成电路产业高峰论坛，工信部、浙江省领导莅临指导，近200位行业专家、从业代表齐聚绍兴，共同出谋划策。

项目招引情况

为加快集成电路产业发展，我们布局招引了中芯国际等20余个重点产业项目，计划总投资超250亿元。

中芯国际晶圆制造项目：首期投资58.8亿元，主要生产微机电系统（MEMS）、功率器件。今年销售额已达9000万，明年预计5-6亿；预计2019年3月主厂房结构封顶，9月设备调试，2020年一季度正式投产。

集成电路小镇创新综合体项目：由芯空间投资建设，计划投资50亿元，打造集科技研发、文化休闲、生活配套为一体的创新服务综合体，共9万方的商务中心和14万方的高端人才公寓，建设成为绍兴集成电路设计（研发）产业园。

豪威科技项目：全球图像传感器领域排名前三的美国豪威科技与台湾同欣电子共同投资16亿元（一期投资4亿元）的晶圆测试及重构封装项目、LCOS硅基液晶投影显示芯片项目正在合作条款细节洽谈阶段，意向用地73亩。

新华越IPT项目：由芯空间、新加坡IPT芯光科技投资建设，计划总投资30亿元，达成后月产三万片12寸晶圆。下一步2019年1月份客商前来具体对接项目细节。

北斗导航产业园项目：由武汉导航院、武汉梦芯科技和绍兴盛世能源投资建设，计划投资20亿元，建设北斗导航研发生产基地、大数据处理中心和位置信息服务平台。

吉姆西半导体设备项目：由吉姆西半导体科技有限公司投资建设，计划投资10亿元，建设CMP耗材制造基地和高端硅片回收服务平台。2018年5月购置厂房，预计2019年5月正式投产，预计年营业收入可达7.5亿元。

此外，天毅半导体IGBT项目、骐能高纯碳化硅项目等项目已拟定合作条款即将落地。

材料三：

绍兴将筹建微电子学院！微电子“芯”技工，绍兴自己“制造”

去年9月，绍兴集成电路小镇规划出炉，仅仅一年后，绍兴集成电路产业园已成功入选浙江省首批7家“万亩千亿”新产业平台，成为浙江省唯一一家以集成电路为主导产业的平台。产业发展的同时，电子电工类一线员工需求量也日益增大，为此绍兴技师学院（筹）市职教中心决定筹建微电子学院。昨天下午，市职教中心专门召开研讨会，邀请相关专家及企业代表就此建言献策。

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微电子产业技术工人缺口大

绍兴市委市政府根据大湾区先进智造基地的战略定位，提出到2020年，在越城区规划引进主营业务收入超50亿元的电子信息企业10家，建设成绍兴集成电路小镇，到2025年形成1000亿元的产值，打造成为国家级集成电路产业园示范区。

据最新数据统计，越城区内现有电子信息企业25家，共有员工2099人，其中一线员工801人，待招引和开工的企业10家，总员工预计8855人，其中一线员工预计达4130人。但是，目前绍兴市区中职学校中，只有4所学校有电子电工类专业，虽然每年的电子电工类毕业学生共计约660人，但只有200～300人会到相关企业就业。

“由于对口专业就业人员严重不足，造成电子类企业招不到员工。随着集成电路小镇建设的推进，企业对电子电工类一线工人的需求势必越来越大，招工用工的矛盾会更加突出，这为绍兴技师学院（筹）市职教中心筹建微电子学院提供了契机。”绍兴市集成电路产业园管委会副主任李彰说，如今微电子企业对人才的渴求不仅限于高层次人才，制造类的操作人员缺口同样很大。

中芯集成电路制造(绍兴)有限公司人事经理刘雪梅深有同感。“目前我们企业的一线操作人员是200多人，但按照发展规划，还需要1200余人，这1000人的缺口着实让人担忧。”刘雪梅说，和普通工人不同，半导体产业的技术人员需要很强的专业性，加上倒班制的特殊性，能长期从事该行业的操作人员其实不好找。“倘若微电子学院成立，可一定程度缓解我们的燃眉之急。”

绍兴怡华电子科技有限公司总经理助理陈骆峥晗也表示，成立专门的微电子学院对相关企业来说是一个利好。“如今一线技术人才需求真的很大，但我们到外地企业去挖人还是很困难的，最好的方式是自己招人、自己培养，今后我们可以加强校企合作实现双赢。”

每年将为企业输出300名毕业生

绍兴技师学院（筹）市职教中心的微电子学院筹建已经提上议程，大家更关心的是学院将如何展开人才培养。

“筹建后，学院将联合高校、企业对标微电子专业人才岗位需求，继续完善制定人才培养方案，做到毕业生与相关企业零差对接。通过与企业合作，建立优质的校内外实训基地，每年可为企业输出300名毕业生，同时为企业员工开展长短学制终身培训服务。”绍兴市技能大师、绍兴技师学院（筹）市职教中心微电子学院筹建工作专业建设负责人周云水介绍说。

绍兴技师学院（筹）市职教中心校长盛锡红告诉记者，学校新校区正在建设中，就位于马山镇集成电路小镇规划区东北角，离皋埠集成电路小镇也在15分钟经济圈内。“微电子学院的筹建集天时地利人和为一体，到时将依托区位优势，建立以微电子专业方向为主，微电子产业线内机电系相关配套工种专业为辅助的独立分院，共同培育微电子企业及相关企业优秀人才。”

据悉，该院将计划与绍兴文理学院共建3+4中本一体，同时设置学制5年的电子技术应用专业(微电子方向)高级工及学制3年的微电子技术与器件制造专业中级工，另开设长短学制职业技能终身培训。

听完相关介绍后，不少专家和企业代表也提出了一些建议。绍兴中科通信设备有限公司负责人王苗庆表示，在培养学生学习和动手能力的同时，也要让他们懂得如何沉下心来，脚踏实地地做一名工匠。绍兴浙江微电子研究中心邓志江博士认为，学院在打造一流技术人员的同时，一定要加强对学生英语能力的培养。

“在筹建过程中，建议可对落户绍兴或即将落户的微电子企业先进行调研，从而打造一份有绍兴特色的培训方案，我们企业可以配合。”芯空间控股有限公司总裁赵珊珊向绍兴技师学院（筹）市职教中心抛出了橄榄枝，她同时提议学院成立后，可考虑线上线下多元化展开培训。

材料四：
‎总投资超600亿元！绍兴两岸集成电路创新产业园项目落户奠基

11月16日，两岸集成电路创新产业园项目奠基仪式在浙江绍兴举行，项目致力于整合两岸人才、技术、资金及市场资源，探索两岸高新技术及产业合作的新模式。

“近年来，绍兴积极培育壮大以集成电路为代表的新兴产业，绍兴集成电路产业平台入选浙江省首批‘万亩千亿’新产业平台，‘绍兴集成电路产业创新中心’建设被列入《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》。”绍兴市委副书记、市长盛阅春表示，绍兴与台湾有着扎实的合作基础，一大批台资企业与绍兴产业优势互补明显、互利双赢潜力巨大。

据了解，两岸集成电路创新产业园项目规划总面积约4200亩，计划总投资不低于600亿元(人民币，下同)，将建设8英寸和12英寸晶圆制造基地，同时导入200家上下游集成电路相关企业和台湾科学园区管理团队。

其中，首批入园的龙头项目计划总投资100亿元，将打造研发设计、电子研究院、交易中心、智造平台、众创空间、企业孵化、人才培育等七大功能平台。

浙江省人民政府台湾事务办公室任庄跃成表示，该产业园项目不仅是推动浙江省大湾区建设、长三角一体化发展的生动实践，也是助力两岸产业融合发展的重要实践。

“台湾集成电路产业有先发优势，而大陆的市场宽广，人才、技术非常丰富，两岸在集成电路产业领域合作将有很好的发展机遇。”海峡两岸经贸文化交流协会会长高孔廉致辞称，“希望两岸同胞共同努力，让项目顺利完成。”

材料五：

集成电路作为半导体产业的核心，市场份额达83%，由于其技术复杂性，产业结构高度专业化。随着产业规模的迅速扩张，产业竞争加剧，分工模式进一步细化。目前市场产业链为IC设计、IC制造和IC封装测试。

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在核心环节中，IC设计处于产业链上游，IC制造为中游环节，IC封装为下游环节。

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全球集成电路产业的产业转移，由封装测试环节转移到制造环节，产业链里的每个环节由此而分工明确。

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由原来的IDM为主逐渐转变为Fabless+Foundry+OSAT。

▲全球半导体产业链收入构成占比图

IC设计流程图

晶圆制造流程

IC制造工艺流程

在IC制造过程中，主要工艺包括扩散(Thermal Process)、光(Photolithography)、刻蚀 (Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric Deposition)、抛光(CMP)、金属化(Metallization)7个主要工艺。这些主要工艺又可细分为具体工艺。

▲制造过程中对应设备和材料

半导体材料发展历程

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Si：主要应用于集成电路的晶圆片和功率器件;

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GaAs：主要应用于大功率发光电子器件和射频器件;

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GaN：主要应用于光电器件和微波通信器件;

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SiC：主要应用于功率器件

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▲各代代表性材料主要应用

▲第二、三代半导体材料技术成熟度

国内公司设计水平仍有较大差距

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DIGITIMES Research预测，2018年中国集成电路设计业营收额（产值）可望达到375亿美元（约合人民币2401.87亿元）左右，同比增长26.20%。

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2017年，紫光集团的销售额为21亿美元，是大陆最大的IC设计公司，全球排名第九。但需要注意的是，如果不计海思（超过90%销售额来自母公司华为）、中兴和大唐的内部供应，大陆IC设计公司市场份额将下降到6%左右。

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2017年中国IC设计企业数量为1380家，全球占14.5%，但从营收规模看，1380家中营收超过1亿美元的企业数量仅占2%~3%，营收超过1亿人民币的企业也只有近200家。

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根据市场调研机构IC Insights统计，2017年芯片设计公司占全球集成电路总销售额的27%，与2007年的18%相比，同比增长9%。

IC设计市场份额：大陆地区在2010年占据5%的市场份额，在2017年达11%。 上图显示的是，在2017年，已经有10家公司进入前50大IC设计公司榜单，在2009年名单中只有一家大陆公司。

半导体制造：前景发展广阔，国产替代加速发展

据拓墣产研院研究报道，2017年全球Foundry总产值为573亿美元，较2016年产值535亿美元成长7.1%；全球晶圆代工产值将连续5年成长率高于5%。2018H1全球晶圆代工总产值年增率为7.7%，预估产值达290.6亿美元

▲2012~2018中国晶圆制造业产值及增长率

据TrendForce，中国高资本支出的晶圆厂建设，将使得产业竞争升温，同时带动产能扩增。目前大陆8寸以上晶圆厂40座，其中在建16座，18年更多进入量产，整体产值有望迅速提升。2018年产值可达1767亿元，年增长率为27.12%

‎对比国外制造 我国尚处弱势

▲进出口严重失衡

中芯国际vs台积电

先进制程方面对比台积电，中芯国际的制程较为落后。台积电的成熟工艺占总产能的比重为 55%，而中芯国际则高达 86%。

对比 2016 年产能，台积电的总产能是中芯国际总产能的 5 倍，而成熟工艺

方面，台积电产能是中芯国际的 3.5 倍。

▲由不同尺寸晶圆产能 看中国差距

据前瞻产业研究院，目前我国12寸晶圆厂的投产情况来看，产能最大的是SK海力士，达17万片/月；其次是三星，月产能为12～17万片；中芯国际三个厂合计产能为10万片/月。2017年底合肥晶合12英寸晶圆厂正式量产，根据规划，其全部达产后产能可达到8万片/月。

▲摩尔定律与微处理器的五十年发展历程

▲晶圆节点路线图

▲海外7nm技术的研发情况

中芯国际在14nm技术取得重大突破

•内地最大的晶圆代工厂，大基金为第二大股东，与大基金等共同出资成立半导体产业基金。

• 中芯国际公布2018年第二季度财报，财报显示，公司在14nm FinFET技术开发上获得重大进展，第一代FinFET技术研发已经进入客户导入阶段。

• 良率不断提升，距离2019年正式量产的目标似乎不远。计划19年H1开始风险试产14nm FinFET工艺，并还将跨入到人工智能领域。

• 除了28纳米PolySiON和HKC，28纳米HKC+技术开发也已完成，28纳米HKC持续上量，良率达到业界水平。

• 订购一台价值1.2亿美元的EUV设备，目前该设备是全世界最先进的，可以生产5nm工艺制程的芯片！

中芯国际目前在制造工艺上仍落后台积电、英特尔等市场领导者2～3代，在14nm制程上落后竞争对手2～4；年产能方面仍有较大差距，中芯国际合计约当8寸年产能为5373K，而台积电可达23410K，是中芯的4倍多。

半导体封装是集成电路产业链必不可少的环节

封装是集成电路产业链必不可少的环节，位于整个产业链的下游环节。在整个产业链中，封装是指通过测试的晶圆进行划片、装片、键合、塑封、电镀、切筋成型等一系列加工工序而得到的具有一定功能的集成电路产品的过程。

封装就是给芯片穿上“衣服”，保护芯片免受物理、化学等环境因素造成的损伤，增强芯片的散热性能，标准规格化以及便于将芯片的I/O端口连接到部件级（系统级）的印刷电路板（PCB）、玻璃基板等，以实现电气连接，确保电路正常工作封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥与之连接的PCB的设计与制造，衡量一个芯片封装技术的先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，越接近1越好。

▲2010-2020年全球半导体封测业市场的营收规模

▲2014-2018年全球半导体封测代工业的营收规模

一般测试业务主要集中在封装企业中，所以封装也与测试也通常俗称为封装测试业。全球IDM本身承担的半导体封装测试产值受半导体产业景气度影响较大，而封装测试代工呈现平稳增长的态势。

根据Gartner的估值，2018年全球半导体封装测试的营业收入规模为553.1亿美元，比2017年增3.9%。

根据Gartner的统计和预测，2018年全球半导体封装测试代工业的营业收入为331.43亿美元，较17年增6.3%。

 近年来，收到移动智能终端基带芯片、应用处理器、无线通信芯片等产品的发展推动，对高端先进封装市场需求水涨船高。其中，扇出型晶圆代工级先进封装（Fan-out-WLP)最受青睐，据TechSearch预估， Fan-out WLP的市场规模在2018年达到19亿颗，在2020年达到25亿美元产值。

近年来，由于智能手机等智能终端的发展，国内外集成电路市场对中高端集成电路产品需求持续增加，因而对BGA、WLP、FC、SIP、3D等先进封装技术的需求更是呈现快速增长的态势，形成了传统封装日益减少和先进封装份额日益增加的局面。

业内领先企业正逐步向先进封装领域迈进，以掌握先进封装技术的成熟不同，我国企业分为三个梯队：

我国半导体制造行业重点企业华微电子

■技术不断创新，研发力度加强。公司不断加大研发力度，强化技术研发体系建设。目前650V~1200V的Trench-FS IGBT平台产品已通过客户验证。在新能源汽车、变频家电、光伏等新兴领域积极拓展，进展顺利达到预期效果。

■功率半导体市场持续高景气，行业新应用打造新市场。自2016年下半年以来功率半导体市场开始回暖并持续保持高景气。随着新能源汽车、工业物联网等行业的发展，功率半导体下游应用市场不断扩容，我们预计2018年行业将继续保持高景气度，尤其是MOSFET产品价格有望持续走高，并为公司业绩带来弹性。

■拟投建八寸新产线，行业优势地位进一步巩固。公司一月发布公告，拟配股公开发行股票募集资金不超过10亿元，扣除发行费用后的净额拟全部用于新型电力电子

器件基地项目（二期）的建设。本期项目建成后，公司将具有加工8英寸芯片24万片/年的加工能力。产线建成后公司技术优势将进一步提升，产品结构进一步优化，行业领先地位将进一步巩固和加强。

 扬杰科技

■追求经济效益最大化，既定战略下循序渐进谋长远发展：4寸线对应二极管整流桥，晶闸管等，6寸线对应肖特基二极管，mosfet，8寸线对应igbt可实现产线经济效益最大化。公司公告指出，今年3月新设控股子公司杰芯半导体，收购了一条6寸晶圆线，6寸MOSFET晶圆，已实现批量生产，助力公司快速切入新应用领域和新客户，同时组建了IGBT研发设计团队，已成功研制IGBT芯片并实现量产，进一步增强公司的研发力量，满足公司后续战略发展需求。

■依托新产品的投入与研发，持续开拓新领域新客户：公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN、产品、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。公司产品线逐渐丰富，积极推进SiC芯片、器件研发及产业化项目，加强碳化硅领域的专利布局，重点研发拥有自主知识产权的碳化硅芯片量产工艺；针对电动汽车、充电桩、光伏逆变等领域，加强与客户的沟通交流，为客户提供切实可行的应用方案。

北方华创

■半导体设备高速增长，真空设备需求爆发：2018年上半年，公司四大主营业务（半导体设备、真空装备、新能源锂电装备和电子元器件）分别实现收入7.95/2.52/0.18/3.25亿元，分别占营收比重为56.99%/18.07%/1.26%/23.29%，同比增长37.85%/186.18%/-33.12%/ -6.51%。作为承担国家02专项多项课题的单位，半导体设备将持续为公司营业收入做出主要贡献。我们始终认为，半导体前道设备不仅具备资本开支增加背景下的放量属性，亦具备国产替代率达到一定程度后的团队长期配套，带来的持续收益属性，即进口替代率到达一定程度之后给予龙头企业较稳定的获利模式，与此同时，设备附加值（特别是光刻设备以外的设备）伴随工艺提升，将有更显著的提升空间，持续看好龙头公司的发展空间。

■股权激励提高员工积极性，推动公司持续成长：2018年8月14日，北方华创完成了首次股票期权激励计划授予登记，以35.36元/股行权价格向341名公司核心技术人员及管理骨干（不包括董事和高级管理人员）授予450万份股票期权。本次股权激励将中高层人员的利益与公司绑定，充分调动员工积极性，为公司人员稳定和技术创新打下坚实基础。

■半导体行业步入景气周期，国产化替代势在必行：在人工智能、5G等技术以及AR/VR、智能汽车等创新应用驱动下，半导体行业进入新一轮成长周期。随着近几年大量兴建晶圆厂，大陆将成为全球第二大半导体设备需求市场。在国家大力支持下，02专项开启半导体设备国产化进程。公司承担多项重大科技专项子课题研发任务，并在硅谷设立海外研发中心，2017年研发投入7.36亿元，占营业收入比例高达33.13%。根据公司公告，目前公司12英寸98-20nm制程刻蚀机、PVD、CVD、氧化/扩散炉、清洗机等设备已实现量产，部分产品成为国内龙头芯片厂商量产线Baseline机台；12英寸14nm制程设备已交付至中芯国际进行工艺验证，其价格较海外便宜30%，具有竞争优势。同时布局10nm、7nm前沿关键技术。同时，公司成功收购Akrion，进一步丰富公司清洗机产品线。技术突破为国产化替代提供条件，为公司营业收入进一步增长提供动能。

中环股份

■公司是硅单晶材料龙头，涉足半导体+新能源双产业链。公司主营业务围绕单晶硅材料展开，形成半导体、新能源光伏发电、金融和其他四大板块，其半导体主导产品区熔单晶片综合是来全球第三，全国第一，国内市场占有率超80%；光伏单晶产能全国第二，高效N型硅片市场占有率全球第一。

■2017年，子公司承担国家科技重大专项通过验收，中环股份成为国内首家、全球第三家能批量提供8英寸区熔硅抛光片的公司，占有率全球领先。

■公司设立区熔单晶和抛光片基地，目前8英寸抛光片产能为10万片/月,预计2018年10月建成后产能达到30万片/月，实现国内最大市场占有率。

■公司建立12英寸抛光片试验线，预计2018年底实现产能2万片/月。公司和无锡市政府、晶盛机电达成战略合作关系，在宜兴启动集成电路用大硅片生产与制造项目。项目总投资30亿美元，一期投资约15亿美元，在目前大尺寸硅片规划生产线投入中位居前列。

太极实业

■大基金拟入股，“EPC+封测”业务有望迎上下游产业链协同发展：大基金一期对半导体产业链多环节进行了布局，包含材料、设备、设计、制造、封测多个领域。公司此次拟携手大基金，“EPC+封测”业务有望迎来上下游产业链的协同发展。

■半导体景气度提升，公司EPC业务持续发酵：IC Insights数据指出，截止2017年底，12寸晶圆占总晶圆产能66.1%，预计19年会突破70%的市场占有率，国内12寸晶圆制造产线景气度持续上升。根据公司公告，2017年公司中标和辉光电、长江存储、合肥长鑫、重庆万国、上海华力等多个重大项目，近期12.26亿元中标绍兴中芯（MEMS和功率器件芯片制造及封装测试）EPC项目、9.6亿元中标宜兴中环（集成电路用大直径硅片厂房配套）EPC项目。

■封测业务技术领先，铸就高起点：公司半导体业务依托子公司海太半导体和太极半导体开展，海太半导体以为SK海力士DRAM产品提供后工序服务为主，盈利模式为“全部成本+固定收益（总投资额的10%）”。海太公司拥有完整的封装测试生产线与SK海力士12英寸晶圆生产线紧密配套。

中芯国际

■公司成立于2000年，是国内集成电路制造领域的龙头企业;

■由传统制程逐渐迈进先进制程:公司公告指出，2017年按照制程分类:250/350nm占比2.9%、 占比34.8%、110/130nm占比11.6%、150/180nm 90nm占比1.5%、55/65nm占比20.4%、40/45nm占 比20.9%、28nm占比8%。由此我们可以看出，公 司

的55/65nm、150/180nm制程放量，占比相比 2016年提升，预计对应公司NOR、PMIC产品，而 28nm制程的占比随着景气度的提升以及客户的拉 货恢复有望逐渐提升。

■双CEO框架下，有望使得公司的经营与管理进入一 个全新的阶段，公司管理层在先进制程、技术以及 管理等层面均有非常深厚的积累，对公司未来的发 展有很大的提振。

华虹半导体

■全球领先的纯晶圆代工企业，特别专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理和逻辑及射频等差异化特色工艺平台，其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。

■在上海金桥和张江建有三座200mm晶圆厂，月产能超过17万片；同时在无锡高新技术产业开发区内新建一条月产能4万片的12英寸集成电路生产线。

■ 18Q2销售收入达2.3亿美元，同比增16.1%，环比增长9.4%。毛利率上升至33.6%。产能利用率不断提高和产品组合持续优化。MCU，智能卡芯片，功率器

件市场景气度持续高涨。

附参考答案：

1、选择题

1-5:C A C B A     6-10:B C B C B   11-15:A D B A C  16-20:A C C D A

21-25:A C D A B  26-30:B A D C D  31-35:B D D C C 36-40:C C C B C

41-45:C C A C B  46-50:D B B D C  51-55:A D C A C 56-60:B C A B A

61-65:C C C D B   66:B C   67:B C F F   68:B C  69:B A D E  70:C A D B

71:B A D E   72-75:C A A A  76-80:B A B C A  81-85:C C A A C

86-90:C C C B B   91-95:A A A C B  96-100:C B D D A

2、填空题

1.接通，断开。 

2.短路，开路。

3.航天军事。

4. i4004 。

5.上海贝岭。

6. iPad。

7. 98%。

8.栅极。

9.载流子迁移率。

10.Ⅲ-Ⅴ。

11.硅化镍SiNi。

12.源漏电极。

13.铝。

14.铜。

15. 100。

16. 18。

17. poly。

18.工艺 。

19.设备工程师。

20.制程工程师。

21. Standard Operation Procedure。

22. Die Process Service。

23.无尘室管理中心。

24.子批。

25.机台状态。